Kerja Sama Indonesia dan Amerika Serikat dalam Pengembangan Industri Semikonduktor
JAKARTA – Indonesia memasuki tahap baru dalam pengembangan industri semikonduktor dengan menggandeng investor dari Amerika Serikat. Proyek ini memiliki nilai investasi awal sebesar US$4,9 miliar atau sekitar Rp82,88 triliun (dengan asumsi kurs Rp16.915 per dolar AS). Proyek ini diinisiasi oleh PT Galang Bumi Industri sebagai pengelola Proyek Strategis Nasional (PSN) Wiraraja GESEIP bersama mitra strategis dari AS.
Kesepakatan kerja sama ini disaksikan langsung oleh Presiden RI Prabowo Subianto dalam acara Indonesia–US Business Summit yang berlangsung di U.S. Chamber of Commerce, Washington D.C., Amerika Serikat, pada malam hari Rabu (18/2/2026).
Direktur Utama PT Galang Bumi Industri, Akhmad Ma’ruf Maulana, menjelaskan bahwa kerja sama ini merupakan langkah nyata dalam hilirisasi industri berbasis energi hijau dan teknologi semikonduktor di Indonesia. Ekosistem yang dibangun dalam PSN Wiraraja GESEIP mencakup hilirisasi kuarsa silika menjadi produk bernilai tambah tinggi, mulai dari pemurnian bahan baku kaca hingga produksi polysilicon untuk kebutuhan semikonduktor dan solar cell.
Penandatanganan perjanjian bisnis strategis antara PSN Wiraraja Green Renewable Energy & Smart Eco-Industrial Park (GESEIP) di Galang, Batam menandai babak baru kolaborasi antara Indonesia dan Amerika Serikat dalam bidang industri berteknologi tinggi dan energi berkelanjutan. Proyek ini melibatkan sejumlah mitra strategis seperti Essence Global Group dan Tynergy Technology Corporation USA.
Perjanjian Pengembangan Bersama (Joint Development Agreement) resmi ditandatangani pada 18 Februari 2026 serta perjanjian lanjutan dengan Tynergy Technology Corp. Menurut Ma’ruf, pihaknya bersama Tynergy Group of Companies akan mengembangkan ekosistem hilirisasi yang mencakup pemurnian kuarsa silika untuk industri kaca melalui PT Quantum Luminous Indonesia, serta pemurnian polysilicon melalui PT Essence Global Indonesia.
Pada tahap awal, nilai investasi yang dialokasikan mencapai US$4,9 miliar. Jika tahap awal berjalan lancar, akan ada tambahan investasi sebesar US$26,7 miliar untuk memproduksi ingot wafer, wafer slicing, hingga fabrikasi guna melengkapi siklus produksi semikonduktor secara terintegrasi di Indonesia.
Dalam perjanjian yang ditandatangani, kerja sama mencakup investasi dan pengembangan infrastruktur manufaktur di Galang, perluasan proyek energi terbarukan, pengembangan tenaga kerja, serta riset dan pengembangan teknologi mutakhir. Investasi awal Tynergy Technology Corp ditargetkan hingga US$250 juta untuk pembangunan fasilitas manufaktur di Galang dengan proyeksi penciptaan sekitar 2.500 lapangan kerja terampil.
Untuk memastikan pasokan energi yang memadai, Tynergy Group juga akan membentuk PT Energy Tech Indonesia guna membangun fasilitas penyimpanan energi berbasis sodium ion dengan kapasitas hingga 150 MW energi berkelanjutan untuk mendukung operasional kawasan industri.
Selain itu, untuk memperlancar transfer teknologi semikonduktor dan sel surya, Tynergy Technology Corporation USA membentuk kerja sama pengembangan antara dua zona ekonomi bebas, yakni PSN Wiraraja GESEIP di Galang, Batam, dan Solanna Akimel 7 Technopark di kawasan metropolitan Phoenix, Arizona. Komitmen kerja sama transnasional tersebut juga ditegaskan dalam Pakta Persahabatan Zona Ekonomi Khusus Transnasional antara kedua kawasan.
Ma’ruf yakin bahwa kolaborasi ini akan memperkuat posisi Indonesia dalam rantai pasok global industri semikonduktor dan energi terbarukan, sekaligus mendukung agenda pengembangan pusat data berbasis kecerdasan artifisial (AI) serta transisi energi berkelanjutan di kedua negara.
Presiden RI Prabowo Subianto menyambut baik penandatanganan perjanjian tersebut sebagai wujud konkret diplomasi ekonomi dan penguatan kemitraan strategis Indonesia–Amerika Serikat. Investasi besar dalam sektor hilirisasi dan energi hijau tersebut diharapkan mampu mendorong pertumbuhan ekonomi nasional, memperluas lapangan kerja, serta memperkuat daya saing industri Indonesia di tingkat global.
